【摘 要】
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随着高频微波技术的发展和器件小型化的需求,与GaN近晶格匹配的宽禁带半导体AlInN由于存在超强的自发极化,可以作为高电子迁移率晶体管的超薄势垒层而被宽禁带半导体学者
【机 构】
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中国科学院苏州纳米器件和应用重点实验室,苏州,215123
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
随着高频微波技术的发展和器件小型化的需求,与GaN近晶格匹配的宽禁带半导体AlInN由于存在超强的自发极化,可以作为高电子迁移率晶体管的超薄势垒层而被宽禁带半导体学者广泛研究。但是由于AlN和InN生长条件差异较大,要获得高质量的AlInN势垒层实属不易,本文故意在AlInN中加入GaN作为媒介,中和AlN和InN的生长差异。在外延生长中,AlIn(Ga)N中In组分较高,势垒层生长温度低于沟道层,因此存在一个生长停顿降温的过程。通常情况下,作为防止合金散射的AlN插入层在高温下生长,与沟道层之间不存在生长停顿,以此来获得较高质量的2DEG界面,减少散射,提高迁移率。但是,经过降温生长势垒层之后,外延层表面存在10nm左右的深坑,因此大多数AlInN研究课题组都将AlN插入层与AlInN势垒层一起生长来获得光滑的表面[1]。
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