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为了去除InAs抛光片表面氧化层，同时减缓表面氧化，实现表面钝化，以(NH4)2SX/NH4SCN溶液为主要研究对象，通过对比试验得出了钝化与非钝化样品的区别。利用X射线光电子能谱仪(XPS)和椭偏仪测试了表面钝化情况，结果表明InAs表面氧化层明显减少，表面质量有所提高。
(NH4)2Sx/NH4SCN溶液钝化InAs(100)表面的研究
【摘 要】
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为了去除InAs抛光片表面氧化层，同时减缓表面氧化，实现表面钝化，以(NH4)2SX/NH4SCN溶液为主要研究对象，通过对比试验得出了钝化与非钝化样品的区别。利用X射线光电子能谱仪(X
【机 构】
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中国科学院半导体所,北京 100083
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2012年期
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