【摘 要】
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本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采
【机 构】
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School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采用Cascodc拓扑结构。共面波导和Cascode结构单元布局兼容,并且不需要减薄和背金,本设计选取CPW布线形式。通过Agilent ADS仿真器中的优化功能模块对无源器件部分尺寸进行优化设计,设计出的低噪声放大器芯片测试结果为：Maxgain=13 dB@92.5 GHz,NFmin=4.3dB@87.SGHz,该测试结果意味着所采用的InP HEMT器件在W波段电路应用中具有很大的潜力。
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