【摘 要】
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在室温下采用偏振反射差分光谱测量了InAs/GaSb超晶格平面内光学各向异性,在GaAs界面厚度保持不变的情况下研究了不同厚度InSb界面对超晶格平面内光学各向异性的影响。并
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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在室温下采用偏振反射差分光谱测量了InAs/GaSb超晶格平面内光学各向异性,在GaAs界面厚度保持不变的情况下研究了不同厚度InSb界面对超晶格平面内光学各向异性的影响。并利用高分辨XRD测量了不同的InSb界面厚度对超晶格晶格失配的影响。分别在InAs和GaSb的ΓΛ(E0,E0+△0)和Λ(E1,E1+△1)临界点观察到了平面内光学各向异性信号。InSb界面的厚度的增加减小了超晶格的应变,临界点能量发生移动。InAs和GaSb上下界面的不对称性可以解释平面内光学各向异性的来源,分析了应变对各向异性的影响。
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