【摘 要】
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InP基高电子迁移率晶体管(HEMT),以其优良的特性成为微波／毫米波高频段低噪声有源器件的主要选择之一,本文根据异质结构参数设计优化方法对InP基HEMT器件进行模拟并优化,
【机 构】
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School of Information and Electronics, Bering Institute of Technology, Beijing,100081, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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InP基高电子迁移率晶体管(HEMT),以其优良的特性成为微波／毫米波高频段低噪声有源器件的主要选择之一,本文根据异质结构参数设计优化方法对InP基HEMT器件进行模拟并优化,并结合国内现有化合物半导体材料生长和器件工艺水平,得到了一组优化的InP基HEMT异质结构设计参数。模拟结果显示,器件的跨导大于800mS/mm,最大饱和电流350mA／mm,沟道电流截止电压-0.6V,电流增益截止频率196GHz,器件的DC与RF特性充分显示了器件在微波／毫米波高频段应用上的巨大潜力。
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