【摘 要】
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在碳化硅衬底上通过碳硅共掺杂的方式利用升华法制备出p型氮化铝晶体。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)光谱对样品结构和光学性能进行分析。XRD
【机 构】
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Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education / Guangdong Province,
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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在碳化硅衬底上通过碳硅共掺杂的方式利用升华法制备出p型氮化铝晶体。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)光谱对样品结构和光学性能进行分析。XRD的测试结果表明晶体的生长方向为c轴方向，晶体质量较好。霍尔测试的结果表明制备出的氮化铝晶体导电类型为p型。经过XPS测试分析，尤其是对Si2p和C ls的分析，发现样品中C替代N的位置起受主作用，而Si替代Al的位置起施主作用。通过样品的PL谱观察到波长分别为309nm和396nm的强发射峰。结合样品的结构以及理论计算结果，得知这两个发射峰分别来自于C和Si杂质形成的复合物VN-CN和CN-SiAl。
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