【摘 要】
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本论文利用脉冲激光沉积法,选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,在单晶Si(111)和石英衬底上生长了MgxZn1-xO合金薄膜.通过改变衬底温度、氧气流量、工作压强和基靶间距等实验参数,研
【机 构】
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深圳大学材料学院 深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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本论文利用脉冲激光沉积法,选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,在单晶Si(111)和石英衬底上生长了MgxZn1-xO合金薄膜.通过改变衬底温度、氧气流量、工作压强和基靶间距等实验参数,研究不同制备工艺对薄膜结晶质量和光学性能的影响,在缺氧的条件下,实现了高Mg含量、单一六方结晶相的MZO薄膜制备,其中,最高Mg含量的薄膜样品禁带宽度已经达到4.05eV,其对应的吸收边为306nm.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪等对合成薄膜材料的晶体结构、生长机理及光学性质等进行了研究.利用Au作电极,制作成金属—半导体—金属(MSM)型探测器,光谱响应的峰值达到295nm,并对其光响应及Ⅳ特性进行测量分析.
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