硅双结色敏器件基区光电流分配理论的修正及数值分析

来源 :第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pentagon888
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  针对双结色敏器件基区中光生电流传统分配理论存在的不足,引入了基区光生少子分布的连续性方程,修正了基区中光生电流分布方程。通过MATLAB软件对得到的光电流分布方程进行数值分析,得到基区光生电流分配与入射光波长、基区宽度、基区掺杂浓度等参数之间的数值解。结果表明:双结色敏器件的深结和浅结的结深以及器件内部掺杂杂质的分布对器件基区内的光生电流分配起着很大的作用,进而影响了器件的响应范围和分辨率。
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