【摘 要】
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ZnO是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,禁带宽度为3.37eV,其激子束缚能高达60 meV.由于ZnO在高效紫外发光器件,激光器,探测器等方面具有重要的应用前景而成为国际前沿的研
【机 构】
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中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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ZnO是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,禁带宽度为3.37eV,其激子束缚能高达60 meV.由于ZnO在高效紫外发光器件,激光器,探测器等方面具有重要的应用前景而成为国际前沿的研究热点.目前,ZnO的p型掺杂问题是制约ZnO发展的主要瓶颈.由于在ZnO掺杂中存在受主浓度低,掺杂原子激活率低,以及宽禁带半导体所固有的自补偿等问题,一直没有获得可重复的通用的p-ZnO制备方法.因此,我们考虑采用晶体质量相对较好的ZnO纳米结构为基质进行p型掺杂研究.ZnO具有形状各异的纳米结构,包括纳米线,纳米带,纳米环等.而且制备ZnO纳米结构方法也非常简单,例如常用的气相沉积方法,水热方法,MOCVD等,并且高质量ZnO纳米结构可以在多种常用衬底上生长.为制备p-ZnO纳米结构,我们采用了直接生长方法生长了P,Sb掺杂的ZnO纳米结构,以及采用后热退火处理方法制备了As掺杂ZnO纳米结构.通过XPS,XRD,SEM等多种分析手段可以确定V族元素已经成功地掺杂进ZnO晶格,并且采用低温光致发光光谱可以明确地分辨出与受主相关的发光峰,对其发光峰来源进行了分析.
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