【摘 要】
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GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215125
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而导致大量位错的产生(往往高达108-109/cm2)。所以,研究位错对GaN光学性质的影响,对了解GaN发光器件失效的机理,提高其发光效率,具有重要的意义。由于对单根位错的进行光学分析需要很高的空间分辨率,常规的测试手段往往很难满足要求。我们通过纳米压痕的办法引入位错束,用对一束为错的研究来代替对单根位错的研究,从而降低对空间分辨的要求。同时利用液氦温度(6k)下SEM-CL(扫描电镜-阴极荧光)获得了足够高的空间分辨率和光谱分辨率。
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