【摘 要】
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在硅基发光材料的研究当中，低维的硅基材料由于具有神奇的物理特性而备受关注.目前硅基发光材料的研究已取得很大的进展，其中，令人鼓舞的突破性进展是2000年在镶嵌纳米硅晶
【机 构】
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物理与电子工程系 韩山师范学院,广东潮州521041
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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在硅基发光材料的研究当中，低维的硅基材料由于具有神奇的物理特性而备受关注.目前硅基发光材料的研究已取得很大的进展，其中，令人鼓舞的突破性进展是2000年在镶嵌纳米硅晶粒的二氧化硅系统中光增益的实现[1].尽管镶嵌纳米硅晶粒的二氧化硅系统的光致发光在实验和理论上已取得巨大的进步，但是其电致发光的进展却相当缓慢，目前存在的主要问题是发光效率低、稳定性差.这主要源于二氧化硅高的势垒(8.5eV).近年来，非晶氮化硅由于具有比硅氧化硅系统较低的载流子注入势垒，更有利于提高载流子的注入效率和发光效率而备受关注[2-31.为进一步提高氮化硅基发光器件的发光效率和载流子注入效率，研究者们通过改善器件发光有源层的结构和性质、器件结构及选取合适的金属电极材料等途径改善器件性能.本文利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法，以SiH4、NH3和H2为源气体，通过调制其中的H稀释度，在低温下构建基于SiNx介质的高密度纳米硅结构，剖面TEM结果表明纳米硅面密度大于1012cm-1.利用荧光光谱仪进一步研究其光致发光特性，并在此基础上构建电致发光原型器件，研究其电致发光性质.
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