【摘 要】
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ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,p型掺杂剂在氧化锌中固溶度的限制以及较深的掺杂能级位置是实现高效p型掺杂的主要障碍。在诸多掺杂元
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室,南京,210093
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ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,p型掺杂剂在氧化锌中固溶度的限制以及较深的掺杂能级位置是实现高效p型掺杂的主要障碍。在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,而N2O、NH3等含N的气体被广泛应用于ZnO p型掺杂的研究。与N2O等相比,NH3由于已被成功应用于MOCVD GaN薄膜的外延与生长,因此也被认为是ZnO薄膜p型掺杂的优先掺杂源,并有相关的p型掺杂的报道,但有关实验的可重复性和相反的掺杂结果导致ZnO的p型掺杂的研究几乎一直处于争议之中。而最近的相关的有关N掺杂的深能级的理论计算结果更是将目前ZnO p型掺杂的研究推向了几乎停滞的状态。
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