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ZnO宽禁带半导体，由于在紫外光电子和自旋电子器件中具有重要的应用，近年来一直是半导体领域重要的研究内容之一。但p型ZnO和ZnO基室温稀磁半导体制备的困难严重影响了ZnO在光电子和自旋电子器件领域的应用和发展，成为ZnO研究的重要科学问题。研究表明：性能稳定p型ZnO难以获得的主要原因是：受主掺杂浓度低和离化能高。