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ZnO是一种宽禁带的半导体材料,由于其激子束缚能高达60 meV,而在高效短波长发光与激光器件方面具有潜在的应用前景。同GaN光泵浦受激发射相比,ZnO薄膜和纳米线光泵浦受激发射阈值低达40 kW/cm2,比GaN低了近2个量级[l,2]。本工作围绕着ZnO基微纳激光器的设计和制作,从如何进一步降低激光器的阈值,以及如何制作电泵浦激光器件两个方面开展了研究工作。