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MOCVD技术具有生长纯度高,大面积均匀性良好并适合于大规模生产,同时生长易于控制,可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡,适合于生长各种异质结构材料等诸多优势。过去二十多年来Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料与器件的发展历史已经证明金属有机源化学气相沉积技术是实现半导体材料与器件应用的关键技术,人们普遍认为它也是实现高性能ZnO基结构材料器件应用的合适技术。但到目前为止,ZnO MOCVD技术依然落后于MBE技术,其中最主要的原因在于依然缺乏成熟的商用MOCVD设备以及优化的材料生长工艺与掺杂技术。