【摘 要】
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ZnO由于具有独特的物理性能,包括其室温下高的带隙(3.3eV)以及大的激子束缚能(60meV)等,是理想的紫外光电子器件的候选材料,同时,通过过渡金属掺杂,也有可能被应用于电子
【机 构】
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ZnO由于具有独特的物理性能,包括其室温下高的带隙(3.3eV)以及大的激子束缚能(60meV)等,是理想的紫外光电子器件的候选材料,同时,通过过渡金属掺杂,也有可能被应用于电子自旋器件,因此,ZnO基材料具有潜在的研究价值.在器件设计中,不同带隙材料的组合是必不可少的一个环节,ZnO与其它材料合金化是调制带隙的一个有效方法,因此,ZnO其半导体合金值得深入研究.通过外延生长手段,实验上研究获得了单相的MgZnO,CdZnO和BeZnO等晶体薄膜.
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