ZnO本征缺陷的第一性原理研究

来源 :第五届届全国氧化锌学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：minloveyou

【摘要】

：

　　我们利用平面波赝势方法和密度泛函理论对纤锌矿结构ZnO的本征缺陷及其形成能进行了第一性原理的计算。计算分为三种情况讨论：O/Zn=1,O/Zn＞1(富含O),O/Zn＜1(富含Zn)。计算结

【作者】

：

赵凤岐王肖科

【机构】

：

内蒙古师范大学物理与电子信息学院010022

【出处】

：

第五届届全国氧化锌学术会议

【发表日期】

：

2011年11期

【关键词】

：

密度泛函理论本征缺陷形成能

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

　　我们利用平面波赝势方法和密度泛函理论对纤锌矿结构ZnO的本征缺陷及其形成能进行了第一性原理的计算。计算分为三种情况讨论：O/Zn=1,O/Zn＞1(富含O),O/Zn＜1(富含Zn)。计算结果显示在O/Zn=1的情况下具有自身缺陷态具有最低的缺陷形成能。在O/Zn＞1 (O/Zn＜1)的情况O缺陷具有引人注目的较低的形成能。因而在O/Zn=1自身缺陷态占主导地位,而在O/Zn＞1和O/Zn＞1的情况下O缺陷占主导地位。对在O空隙和缺陷处周围原子位置也进行了研究。计算结果得到了实验的验证。

其他文献

p-type non-polar m-plane ZnO films grown by plasmaassisted molecular beam epitaxy

会议

基于ZnO纳米线的微纳激光器设计与性能研究

　　ZnO是一种宽禁带的半导体材料,由于其激子束缚能高达60 meV,而在高效短波长发光与激光器件方面具有潜在的应用前景。同GaN光泵浦受激发射相比,ZnO薄膜和纳米线光泵浦受激

会议

氮掺杂ZnO中重要的受主补偿源之一(CN)o

　　ZnO作为光电子材料而被关注的十几年来,p型掺杂工作一直是人们致力研究的重点。以N掺杂为代表的p型ZnO的重大突破,使人们在N相关的掺杂机制方面的认识也较为深入。在ZnO

会议

Zn1-yCuyO1-xSx合金的p型导电和室温铁磁性的形成及机制

　　ZnO宽禁带半导体，由于在紫外光电子和自旋电子器件中具有重要的应用，近年来一直是半导体领域重要的研究内容之一。但p型ZnO和ZnO基室温稀磁半导体制备的困难严重影响了ZnO

会议

MOCVD技术在MgO衬底上生长非极性ZnMgO薄膜

　　Non-polar ZnMgO thin film was successfully prepared on MgO (100) substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at an appropriate growth condi

会议

ZnO多功能复合材料及其缺陷调控

　　ZnO半导体材料由于其具备光电方面的优异特性而被广泛研究[l]。而在ZnO母体中引入外来的掺杂离子从而改变电子结构与其相应的性质，更是拓展了ZnO在光电子(如p型掺杂[2])和

会议

H掺杂ZnOAl透明导电薄膜的制备及性能研究

会议

喷墨打印法制备ZnO图案用于金属铜无电沉积

　　本文报道一种利用喷墨打印技术制备ZnO图案，并以其为模板在玻璃和陶瓷等绝缘基底表面无电沉积图案化金属铜的方法.以ZnO薄膜为模板在绝缘基底表面无电沉积金属Cu和Ni的工

会议

ZnO基半导体合金的结构稳定性和电学性能的理论研究

　　ZnO由于具有独特的物理性能,包括其室温下高的带隙(3.3eV)以及大的激子束缚能(60meV)等,是理想的紫外光电子器件的候选材料,同时,通过过渡金属掺杂,也有可能被应用于电子

会议

As掺杂p型ZnMgO薄膜的制备

　　近年来,ZnMgO在制备ZnO/ZnMgO超晶格、量子阱和深紫外光电器件方面引起了人们的重视,然而同ZnO一样,其p型掺杂问题仍未得到很好解决.本文通过在预选衬底上先溅射20nm GaA

会议

ZnO本征缺陷的第一性原理研究

其他学术论文