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在过去的十年中,尽管研究人员做了大量工作来制备p型ZnO,但可靠性和稳定性仍受质疑。研究影响p型稳定性的因素与机制对于实现基于p型ZnO的短波长光电器件就显得至关重要。本实验通过等离子体辅助的分子束外延设备在a面和c面蓝宝石衬底上外延生长了氮掺杂p型ZnO薄膜。通过霍尔测量观察,在样品放置过程中,c面蓝宝石衬底上的p型逐渐退化为n型,而制备在a面蓝宝石上的p型ZnO却呈现极高的稳定性。