铜布线相关论文
早期的IC前工序制造工艺中并不使用电镀.但是随着圆片级封装(WLP)、倒装芯片(FC)技术和芯片尺寸封装(CSP)等新型封装技术的出现,Cu......
第一部分是针对铜布线工艺中钽阻挡层失效问题的研究.研究发现钽薄膜制备过程中,硅衬底表面清洁度对钽膜阻挡效果有很大的影响,适......
索尼计算机娱乐公司、ＩＢＭ公司、东芝公司宣布 :三家公司计划联合研究开发一种先进的芯片结构 :新兴宽带时期的新一代器件。它们将共同......
采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度......
ＮＥＣ开发了为制作未来高速、高可靠性ＬＳＩ所需的 0 5 μｍ间距的Ｃｕ布线新技术。Ｃｕ布线与原铝合金布线相比 ,电阻低、可大电流流经。所以可应用于......
研究了LTCC(低温共烧玻璃 -陶瓷 )N2 气氛下基片排胶效果与铜布线质量。用综合热分析仪分析了LTCC基片N2 烧结 ,发现有机物的排放......
