磁控反应溅射相关论文
采用射频磁控反应溅射技术, 在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品。采用椭偏光谱和紫外-可见光透射光谱测试分析技......
Aluminium nitride AlN(100) thin films have been successfully deposited on Si(111) substrates by reactive magnetron sputt......
微电子工业迅速发展，半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的要求。因此，需要寻......
本文首先对气相沉积硬质薄膜(镀层)的发展以及TiN系列超硬薄膜的结构、性能和应用进行了综合描述，并分析了TiAlN薄膜相对与其它TiN......
无线通信技术的迅速发展，对射频终端滤波器性能提出了新的挑战。与传统的介质滤波器和表声波滤波器相比，薄膜腔声谐振器滤波器因其工......
二氧化钛(TiO2)是一种新型半导体材料,在光催化、太阳能电池和电学器件等领域有重要的应用前景,成为目前国际学术界关注的一个重点......
Al2O3薄膜具有许多优良特性,如宽禁带、高介电常数、高硬度、耐磨性好等,集光、电、机械性能于一体,具有非常广阔的应用前景,广泛......
自旋电子学是致力于同时操控电子的电荷自由度和自旋自由度的新兴科学。在众多的自旋电子器件候选材料中，由于稀磁半导体具有着较高......
磁存储技术由于其不易丢失数据等优点,已经成为最经济的数据存储技术并得到广泛的应用。最近,随着巨磁阻读写磁头（giant magneto-re......
采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡｌＮ薄膜。结果表明，５种基片均可生长（１００）面择优取向的ＡｌＮ薄膜，并且具有良好的......
用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体......
利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对......
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子谱 ......
本文利用孪生靶50 kHz中频磁控反应溅射的方法,在多孔阳极层离子束源产生的低温离子束辅助条件下制备了光学性能良好的氧化钛薄膜.......
利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来......
氮掺杂二氧化钛的光催化活性能够被可见光激活,从而大大提高其对太阳光能的利用效率.为了解决材料晶化与氮掺杂在晶化过程中损失这......
在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度......
阐述了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的机理;探讨了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的理论模型,给出了渐变折射率薄膜的折射......
采用射频磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品.采用椭偏光谱和紫外一可见光透射光谱测试分析技术......
在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜。X射线衍射图谱表明......
