量子限域效应相关论文
氧化锌是直接宽带隙Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。在此基础上一维氧化锌纳米棒也因具......
稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注......
量子点又称为纳米晶,是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒(粒径1～10nm),由于电子和空穴的量子限域效应,连续的能带结构变成......
有机铅卤钙钛矿CH3NH3PbX3（X = C1,Br,I）因为在太阳能电池领域的优秀表现而引起广泛的关注。在短短几年的研究时间内（2009-2016）,钙钛......
纳米材料由于拥有独特的光学、电磁或机械性能与巨大的潜在应用前景而受到广泛关注与研究。半导体晶体在达到纳米尺寸之后由于开始......
ZnO是第三代半导体材料,具有宽禁带、高激子束缚能、价格低廉和环境友好等特点,具有广阔的光电应用前景。纳米结构的ZnO是无机材料......
近几年来,低维功能纳米材料因其优异的特性及潜在的实际应用价值,已经成为当今纳米材料研究的前沿和热点。理论研究和设计低维功能......
近年来,由于一维纳米材料具有独特的物理、化学特性以及在纳米器件中的应用前景,它的制备引起了人们的广泛关注。ZnO是一种直接宽......
学位
光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工......
团簇(cluster)是由几个乃至数千个原子、分子或离子通过物理和化学结合力所组成的相对稳定的聚集体。团簇的微观结构的特点和奇异......
单晶硅是间接带隙半导体材料，它的带隙宽度Eg=1.1eV，作为发光器件材料在光电子领域中的应用受到一定限制。1990年，英国科学家Canham首......
利用热丝化学气相沉积法,在真空腔中通过选择设定不同加热功率的热丝热解硅烷制备出一系列不同颗粒尺寸的硅纳米颗粒样品。透射电......
用射频磁控共溅方法制备了InP-SiO2纳米颗粒镶嵌复合薄膜, 分析了它的结构和形成规律. X射线衍射和Raman谱结果表明, InP纳米颗粒......
利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来......
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测......
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响。随着生长......
对用自行研制的ＳＣＤ－Ｉ型高压釜制备的ＳｉＯ２气凝胶与用胶体化学方法制备的ＰｂＳ纳米粒子的组装体系的光学性质进行了研究．用透射电镜观察了其形貌，用光......
