电子隧穿相关论文
基于电化学发光的生物标记物检测已得到了飞速的发展,然而绝大多数的检测需固定识别基团,这依赖于电极表面的层层化学修饰,不但难......
学位
作为基础的电子元器件,隧道结的发现在理论和实验上均有极其重要价值。隧道结以量子力学中的隧道效应为工作原理,在超导电子学、自......
本学位论文主要研究光子扫描隧道显微镜（PSTM）探针的研制和PSTM探针在distearyl3，3’-thiodipropionate自组装分子膜STM研究中的应用......
超巨磁电阻(CMR)材料是国际上研究的热点之一。由于其在不同温度下复杂的物理现象以及在磁场下特有的磁电阻变化，因此无论是其理论......
该论文主要运用传递矩阵理论研究了台阶垒及多势构成的半导体超晶格结构中电子的隧穿输运现象.(1)台阶垒是介于单势垒与非对称双势......
本文首先研究了量子力学中处理粒子隧穿势垒问题的基本方法，发现在极少数情况下，简单势垒的量子隧穿的几率可以被严格求解。但大部分......
近年来，利用单分子组装电子器件引起了人们极大的兴趣。随着实验手段的不断进步和人们对分子器件电输运理论的深入研究，在单分子器件......
本论文研究了电子隧穿一维相互作用量子线中双势垒的干涉效应。一维相互作用量子线可用Tomonaga-Luttinger液体来描述。通过精确的......
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
介绍了一种新型的微机械电子隧穿加速度计．利用体硅微机械加工工艺和硅/玻璃静电键合技术成功研制出了一种三明治结构的隧穿加速度......
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
用卤素-钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)，在〈100〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了SiSiOxNyAl电容，并测量了由低场到FN隧穿电场范围的电......
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研......
建立了电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的直流电导公式. 通过计算20000格点无序体系的直流电导率,分析了直流电导率和温度......
建立了electron-phonon-field(EPF)电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的交流电导公式.通过计算具有20000-65000个格点的无序......
