生长工艺相关论文
以锆钛酸铅陶瓷为代表的铅基压电材料具有优异的压电性能,被广泛应用于工业、生活的各个领域。但是,其所包含的铅具有毒性,危害到......
一种检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法由中科院上海技术物理研究所上海蓝宝光电材料有限公司发明并获专利。该专利采用显微......
据《科学时报》2005年6月9日报道。中科院半导体所的科技人员重点研究和解决了大直径半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶从研究到生产的重......
美国北卡罗来纳州立大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺,据称和现有工艺比较,这一新工艺有望把材料的缺陷减......
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(......
纳米激光,是指由纳米线等纳米光电材料作为谐振腔,在光激发或电激发下发射出的激光。发射纳米激光的激光器的尺寸往往只有数百微米......
本文叙述了液相外延的简单理论及其生长工艺.稳态生长和瞬态生长中的三种冷却技术都是以生长速率取决于溶质向界面的扩散快慢为依......
介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂......
钛酸锶单晶体目前使用数控焰熔法生长工艺,通过晶体生长炉生长,对影响晶体生长参数例如气体参数、生长速度和退火工艺参数进行研究......
针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨,分析了单晶炉内热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响,对一......
调节晶种热交换器的水流量和入口温度,并在相同直径的生长过程中使用不同的维持功率下降水平.结果表明,换热器的冷却强度对籽晶生......
目前基于真空电子学的太赫兹源是产生太赫兹波的最有效方法。在真空太赫兹器件中阴极起了极其关键的作用,目前热阴极很难适应真空......
学位
Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体属于立方晶系,空间群为m3Fm,具有高度对称性结构,为新发现的钾冰晶石型闪烁晶体。目前国际上对该晶体直接报道......
第二代Y系高温超导带材(YBa_2Cu_3O_(7-δ)，YBCO)具有优异的电学性能，它在诸多领域（特别是强电领域）有着广泛的应用前景。在柔性基带上......
化学气相沉积(CVD)法制备的金刚石膜具备天然金刚石的诸多优异性能，在许多领域具有极好的应用前景。研究表明，CVD金刚石膜的性能受其......
本论文采用脉冲激光沉积方法制备SrTiO_3 薄膜,通过优化薄膜的生长工艺参数,分析了微观结构对SrTiO+3薄膜介电性能的影响。运用AFM......
磷酸二氢钾(KDP)是人们发现的最古老的非线性光学晶体之一，至今已有近80年的研究历史。该晶体广泛应用于激光变频、电光调制和光快......
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)是一种钙钛矿结构的铁电材料,具有高介电常数、低损耗、低漏电流密度、电压非线性强等优点,尤其该......
本论文中采用提拉法生长了一系列Mg:Er:LiNbO_3晶体,研究了晶体的生长工艺、结构及光学性能。探索出生长同成分铌酸锂晶体合适的工......
2μm波段激光具有大气传输特性好、穿透能力强、保密性好，对人眼安全等优点，在军事、医疗和环境监测等领域具有广泛的应用前景。作为......
InSb单晶作为III-V族半导体材料中禁带宽度最窄的二元化合物材料,在中红外探测波段有着很重要的应用。同时,随着人们对非晶的研究......
在InGaAs/GaAs量子点之间插入AlGaAs间隔层，会对量子点分布产生一定的影响，进而改善器件的性能。通过分子束外延技术生长InGaAs/AlGa......
二极管抽运的应用颇大地扩展了固体激光器在各个科技领域的应用。由于 YAG∶Nd3+晶体的生长工艺较好 ,并能得到良好输出特性 (高效......
环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶,设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺,该工艺技术是具有自主知识产......
美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术.目前,空间电源的主要来源是太阳电池.但由于传统的硅......
采用金属有机沉积(MOD)法在LaAlO3(LAO)单晶基片上沉积了LaMnO3(LMO)缓冲层薄膜,通过控制LMO薄膜关键生长工艺(如退火温度、退火时......
