功率附加效率相关论文
本文报道了采用Ti/Au/Al/Ni/Au金属叠层的浅槽刻蚀欧姆接触（STEOC）来提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的直流和射频性能。制备器件实......
为适应当前5 G通信芯片趋于高效率化的发展趋势，介绍了一种28 GHz线性度好、效率高的Doherty功率放大器的设计。该功率放大器采用了......
4H-SiC材料以其宽禁带、高电子饱和漂移速度、高临界电场强度、高热导率等优良特性,在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥有广阔......
基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器.采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失......
现代无线通信系统为了提升信道容量、传输速率和可靠性,采用了高频谱利用率和强抗干扰能力的OFDM、MIMO-OFDM等技术。而这些技术的......
随着无线通信系统的逐步演变和发展，人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂，因此在通信过程......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
Fujitsu Compound Semiconductor Inc.研制成17.5～31.5GHz 型号为 ES/FMM5804 VY 单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。在此频率下,......
美国休斯研究所(HRL)称,他们制造出具有前所未有性能的两款GaN基HFET放大器MMIC。他们首先制造出33GHz(Ka波段)功放MMIC,其输出功......
针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器。在......
Northrop Grumman公司近期研发了一款氮化镓MMIC功率放大器,据称能获得Ka波段最大功率。这款27-30GHz的放大器在27GHz时,峰值功率......
MACOM发布一款高线性度6W功率放大器,适用于Ka波段高数据密度的卫星通信和5G无线接入网。裸片(MAAP-011140-DIE)具有24dB线性增益,......
基于0.25μm GaN双场板(DFP)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款2~18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成......
4H-SiC作为第三代半导体材料,具有优异的材料特性,比如具有较宽的带隙,较高的导热性,较大的击穿场强和较高的饱和电子迁移率。这些......
随着微波功率器件的发展,4H-Si C MESFET器件因其在高功率、高频率和耐高温高压等方面的优良特性受到了人们的关注。在微波功率器......
随着5G时代的到来,无线移动通信技术的发展越来越需要极高的数据传输速率,由此超宽带技术和高频技术受到越来越广泛的关注。单片微......
随着宽禁带半导体材料与器件技术的不断成熟，其材料和器件方面的优势日益明显，并且在电力电子和照明工程等领域均获得了实用化。现代......
基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种2～20 GHz的超宽带高效率功率放大器.该功率放大器采用非均匀分布式结构,可以为各级晶体管......
针对Doherty功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法。基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和......
针对传统Doherty放大器在提高效率后会恶化线性指标的关键问题进行了分析与讨论.提出了一种基于二次谐波注入((SHD的Doherty结构.......
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨......
本文采用电子设计自动化(EDA)软件对动态偏置射频功率放大器进行仿真设计.详细介绍了动态偏置功率放大器的工作原理及其实现方法.......
基于功率晶体管BLF6G21-10,采用负载牵引的大信号方法,实现了一种应用于TD-SCDMA基站系统的功率放大器。仿真和测试结果表明,设计......
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最......
采用Cree公司的GaN晶体管CGH40010,设计了一个工作在2.12 GHz,用于WCDMA的带有数字预失真的高效率F类功率放大器,以实现其高效率和......
