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临近年末，各公司都在办年会。我们公司的年会则比往年大大缩水，不仅外聘的表演取消了，连奖品也大打折扣。行政主管还抛下一句“很多公......
针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器。在......
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构......
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20 MHz至2 GHz差分输入和输出20 dB增益放大器LTC6430-20,该器件在240 MHz时提......
基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两......
【摘 要】本论文采用了开关传导型结构，设计了一个低功耗高线型度上混频器。采用SMIC018 CMOS工艺对电路的一些性能参数进行了仿真......
本文采用GaN器件设计了S波段的功率放大器,采用负载牵引的方法获得最佳负载阻抗值,优化最大功率输出,结果显示,在中心频率2.14GHz......
基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5~12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等......
