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光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程，是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的......
多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的发展方向。提出了一种以光刻胶三维形貌差异为评价目标的光刻多参数联合优化方法。以多个深......
随着集成电路特征尺寸进入2Xnm及以下节点,光源与掩模联合优化(SMO)成为了拓展193nm ArF浸没式光刻工艺窗口、减小工艺因子的重要......
提出了一种基于动态适应度函数的光刻机光源掩模优化方法(SMO)。动态适应度函数方法在遗传算法优化过程中采用动态适应度函数模拟......
近年来,随着人工智能的兴起,机器学习和稀疏表示被越来越多的应用于信号处理领域。受自然光学图像超分辨率技术的启发,本文尝试将......
提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率......
毫米波无源成像技术是利用目标与背景在毫米波段的辐射特征差异来实现成像的技术。相比于红外成像，由于毫米波段电磁波可以穿透云雾......
全芯片多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的重要发展方向。提出了一种基于粒子群优化(PSO)算法的光源掩模投影物镜联合优化(SMPO......
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米“T”型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻......
