碳化硅（SiC）金属-氧化物-场效应晶体管（MOSFET）是当前主流的功率半导体器件之一,目前仍面临高电场下栅介质层的漏电流及可靠性问题。本......

聚丙烯作为一种复合绝缘材料目前已广泛应用于射频电容器及电力电缆等设备中.聚丙烯混合天然纳米黏土颗粒后可作为一种纳米复合绝......

SiC作为第三代半导体材料,其结构稳定,有较高的击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力以及较宽的禁带宽度,适合制作高温、高......

微波诱导无极放电是利用微波能量激发放电气体并维持稳定放电而发光的一种放电形式,长期以来一直受到人们的关注.为了对应用于照明......

<正>氧化镓（β-Ga2O3）单晶是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.84.9eV,具有独特的紫外透过特性（吸收截止边260nm）;击穿电......

事件：　　继硅（S i）引导的第一代半导体和砷化镓（G a A s）引导的第二代半导体后，以碳化硅（S i C）、氮化镓（G a N）、氧化锌（Z n O）、金刚石、氮......

研究了MnCO3掺杂对SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料压敏-介电性能的影响,研究中发现,掺入x(MnCO3)为0.08%的样品显示出最高的非线性系数(α......