立方结构EuTiO3(ETO)是一种在低温条件下同时拥有磁有序和电有序的多铁材料，表现为G型反铁磁序（尼尔温度为5.1K）和量子顺电序（温度70K......

随着计算机、通讯和网络技术领域的迅猛发展,以及对低损耗、高速度和大容量的追求,人们对器件集成化、小型化和多功能化的要求越来......

碳化硅（SiC）金属-氧化物-场效应晶体管（MOSFET）是当前主流的功率半导体器件之一,目前仍面临高电场下栅介质层的漏电流及可靠性问题。本......

多铁性材料是一类具有铁电、铁磁和铁弹性两种或者以上的铁性材料。由于具有铁电自发极化特性,多铁材料通常具有铁电光伏效应。众......

电子信息行业发展日新月异,对电子器件的要求也在不断提高,特别是器件小型化和高敏度。传统的栅氧化物在器件发展过程中,不断暴露......

GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特......

随着大规模集成电路VLSI(Very Large Scale Integrated circuits)技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......

研究和制备多功能性的复合氧化物薄膜，是当今社会发展和科技进步的迫切需要，复合氧化物薄膜结合了不同种材料的功能性，在诸如力、热、......

以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn...