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SiC作为第三代半导体材料,其结构稳定,有较高的击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力以及较宽的禁带宽度,适合制作高温、高频、大功率及抗辐射器件,并因其优秀的光电性能,成为光电集成领域的优选材料。本文采用射频磁控反应溅射和高温相分离技术作为制备方法,并结合傅里叶红外吸收光谱(FTIR)以及光致发光光谱(PL)等测试手段,对薄膜的结构和发光特性进行了分析研究。首先,分别选用乙炔或甲烷作为溅射气氛中的活性反应气体,探讨了制备富SiC薄膜的基本工艺条件。随后,选用氧气作为反应气体,成功制备