论文部分内容阅读
根据近年来上海地区基坑工程呈现出的特点,对半逆作法作了简单介绍,并对半逆作法基坑围护技术的计算方法及设计要点进行了详细阐述,以取得良好的经济效益和社会效益。
浅谈半逆作法基坑围护技术
【摘 要】
：
根据近年来上海地区基坑工程呈现出的特点,对半逆作法作了简单介绍,并对半逆作法基坑围护技术的计算方法及设计要点进行了详细阐述,以取得良好的经济效益和社会效益。
【机 构】
：
上海市浦东新区公路管理署
【出 处】
：
山西建筑
【发表日期】
：
2011年20期
其他文献
运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱。研究结果表明近扬光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息，为研究样品表面微
本文研究了ＣｄＴｅ和ｎ型、ｐ型Ｈｇ０．５３Ｃｄ０．４７Ｔｅ界面的电学特性。ｎ型ＨｇＣｄＴｅ ＭＩＳ结构强反型区开始处的电导峰是表面处禁带态辅助的间接隧穿引起的；而ｐ型ＨｇＣｄＴｅ ＭＩＳ结构的强反型区电导出现两个振荡峰，是体陷阱辅助的价带电子表
结合震害和试验资料对工程中常见的钢筋混凝土短柱破坏机理进行了分析，并从抗震概念角度出发，提出提高短柱承载力和延性的几种常见工程设计建议，从而避免在强震中建筑结构的倒塌
表示○○人的“若者语”──“若者语”之六吉林工业大学刘丽华表示○○人的用语在若者中占有很大的比重。这些用语基本上都是根据某人的外貌、性格、特点等对其进行评价。这
本文模拟计算了ＣｄＴｅ中Ｔｅ沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系，根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ的吸收和Ｔｅ沉淀相的散射吸收消光作用。结合光致发光和电学特性
本文发展卫种ＳｉＯ２上多晶ＧｅＳｉ再结晶的方法，研究了其再结晶性质。由ＲＲＨ／ＶＬＰＣＶＤ系统在ＳｉＯ２上生长的性能优良的多晶ＧｅＳｉ材料，经能量为１８０ｋｅＶ，剂量为２×１０＾４ｃｍ＾－２的Ｓｉ＾＋离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层。由此
在对潞安矿区矸石山调查分析的基础上,结合数值模拟技术对矸石山的稳定性进行了分析模拟,同时考虑了自燃对矸石山稳定的影响,结果表明自燃直接影响到矸石山的稳定性,矸石山治
本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化。用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８。用Ｘ射线双晶衍
从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以