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本文发展卫种ＳｉＯ２上多晶ＧｅＳｉ再结晶的方法，研究了其再结晶性质。由ＲＲＨ／ＶＬＰＣＶＤ系统在ＳｉＯ２上生长的性能优良的多晶ＧｅＳｉ材料，经能量为１８０ｋｅＶ，剂量为２×１０＾４ｃｍ＾－２的Ｓｉ＾＋离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层。由此，我们系统研究了多晶ＧｅＳｉ非晶化后的再结晶性质，认为Ｇｅ在再结晶过程中可能起了诱导晶化作用。