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本文研究了ＣｄＴｅ和ｎ型、ｐ型Ｈｇ０．５３Ｃｄ０．４７Ｔｅ界面的电学特性。ｎ型ＨｇＣｄＴｅ ＭＩＳ结构强反型区开始处的电导峰是表面处禁带态辅助的间接隧穿引起的；而ｐ型ＨｇＣｄＴｅ ＭＩＳ结构的强反型区电导出现两个振荡峰，是体陷阱辅助的价带电子表面反型层二维子带的隧穿引起的，而耗尽区的电导峰则为界面态产生复合，指出ｐ型和ｎ型ＨｇＣｄＴｅ ＭＩＳ结构隧穿电导的差别是：ｐ型ＨｇＣｄＴｅ ＭＩＳ结构隧穿对