InxGa1—xAs／InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

• 作 者: 王晓亮 孙殿照 孔梅影 侯洵 曾一平
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,中国科学院西安光学精密机械研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1998年6期
• 关键词: 应变量子阱 化合物半导体 激子跃迁能量 铟 Semiconducting indium compounds Semiconductor quantum well

本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化。用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８。用Ｘ射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际Ｉｎ组分。用光致发光谱（ＰＬ）、吸收谱（ＡＳ）、光伏谱（ＰＶ）确定出了样品中的激子跃迁能量。对量子阱中的激子跃迁