InSb光伏器件的温度特性分析

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InSb光伏器件的温度特性分析龚启兵(航空工业总公司第O一四中心洛阳471009)锑化铟光伏器件一般工作在77K,且性能随着温度的变化而变化。在一定的温度范围内,载流于浓度是一定的,器件能稳定工作;但随着温度的升高,本征载流子浓度迅速增加,温度足够高... Analysis of Temperature Characteristics of InSb Photovoltaic Devices Gong Qibing (Center of Orthodoxy IV, Luoyang 471009, China) The indium antimonide (PVB) devices generally work at 77K and the performance changes with the temperature. In a certain temperature range, the current carrying density is certain, the device can work stably; but as the temperature rises, the intrinsic carrier concentration rapidly increases, the temperature is high enough ...
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