论文部分内容阅读
目的研究金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能.方法制备金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管并对其性能进行测量分析.结果具有顺时针的Id—U滞回曲线的P沟道PZT铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V到+5V的Vg电压下从Ia—Vg滞回曲线中都得到了1V的存储窗口.存储窗口随一V。的增大而增大.结论MFMIS结构的P沟道PZT铁电场效应晶体管适合在大规模、高密度、高速度铁电存储器上使用.