【摘 要】
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一、前言1952年,Welker第一次从寻找新型半导体材料的考虑出发,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物的若干物理特性,证实了这类化合物是半导体,而且具有许多与锗、硅不同的半导体特性。GaA
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一、前言1952年,Welker第一次从寻找新型半导体材料的考虑出发,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物的若干物理特性,证实了这类化合物是半导体,而且具有许多与锗、硅不同的半导体特性。GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度也比硅宽,这样很容易使人联想到它们是否可能成为比Ge、Si更优越的半导体材料。1963年,继
I. INTRODUCTION In 1952, for the first time, Welker looked at new types of semiconductor materials to study some of the physical properties of III-V compounds and confirmed that these compounds are semiconductors and have many different semiconductor properties from germanium and silicon . The electron mobility of GaAs and InP is larger than that of silicon, and the bandgap is wider than that of silicon, making it easy to recall whether they might become superior semiconductor materials to Ge and Si. In 1963, following
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