NTDCZSi中氧的沉淀与吸除

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在适当温度退火时,中子嬗变掺杂(NTD)的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系,利用扩展电阻(SR-100C)法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式,发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。 At appropriate temperature annealing, a large number of metastable radiation defects generated in neutron transmutation (NTD) CZSi enhance oxygen outgrowth and precipitation during annealing. According to the relationship between thermal donor and resistivity in CZSi, the longitudinal distribution of oxygen after annealing was measured by SR-100C method. It was found that the existence of irradiation defects affected the diffusion and deposition of oxygen in silicon.
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