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在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响
Au—GaN肖特基结的伏安特性
【摘 要】
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在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响
【机 构】
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InstofSemiconductors
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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国家“九五”科技攻关资助项目
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