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采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构，然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管（RTD），有相当好的I-V特性，对于5μm×5μm的RTD器件，在室温条件下，测得其峰谷比最大可到7.6：1，最高振荡频率大于26GHZ。
纳米电子器件谐振隧道二极管的研制
【摘 要】
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采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构，然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管（RTD），有相当好的I-V特性，对于5μm×5μm的RTD器件，在室温条件下，测得其
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院,信息产业部电子第十三研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年1期
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