【摘 要】
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报道用脉冲ＡｒＦ激光烧蚀ＳｉＣ陶瓷靶，在８００℃Ｓｉ（１１１）衬底上淀积ＳｉＣ在再经９２０℃真空（１０＾－３Ｐａ）退火处理，制备出晶态α－ＳｉＣ薄膜，用ＦＴＩＲ，ＸＰＳ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＰＬ谱 薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等，结果表明，在９２０℃较
【机 构】
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UnivofScienceandTechnologyof
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!项目编号 59772 0 1 6
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报道用脉冲ＡｒＦ激光烧蚀ＳｉＣ陶瓷靶，在８００℃Ｓｉ（１１１）衬底上淀积ＳｉＣ在再经９２０℃真空（１０＾－３Ｐａ）退火处理，制备出晶态α－ＳｉＣ薄膜，用ＦＴＩＲ，ＸＰＳ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＰＬ谱 薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等，结果表明，在９２０℃较低温度下，ＳｉＣ薄膜经非昌核化一长大过程，生成了晶态α－ＳｉＣ（０００１）／／Ｓｉ（１１１）同度定向外延膜，薄内Ｃ
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