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研究了超薄栅氧MOS器件的直接隧穿（direct tunneling,DT)电流模型问题。利用修正的WKB近似方法（modified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率，利用修正的艾利函数（modified Airy function,MAF)方法计算得到在高电场条件下载流子的量子化能级，从而计算出在不同偏置条件下的DT电流。模型实现了nMOSFET's栅隧穿电流的二维模拟，可以模拟在不同栅漏偏置条件下的器件工作情况，具有较广泛的适用性。通过对比表明，本模型能够与实验结果很好地吻合，且速度明