【摘 要】
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集成电路工艺技术已进入亚微米线宽时代,器件制造的基础材料一优质硅单晶是先决条件。今天对硅单晶的要求可归纳为①均匀的电阻率②高纯度③便于精确地控制杂质氧含量④在器
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集成电路工艺技术已进入亚微米线宽时代,器件制造的基础材料一优质硅单晶是先决条件。今天对硅单晶的要求可归纳为①均匀的电阻率②高纯度③便于精确地控制杂质氧含量④在器件制造过程中,晶片结晶自身应对缺陷有较强的抑制功能⑤大直径化⑥廉价。
Integrated circuit technology has entered the era of sub-micron wide line, the basic material of device manufacturing a high-quality silicon crystal is a prerequisite. Today’s requirements for silicon single crystals can be summarized as: ① uniform resistivity ② high purity ③ easy and precise control of the oxygen content of impurities ④ in the device manufacturing process, wafer crystallization itself to deal with defects have a strong inhibitory function ⑤ large diameter ⑥ cheap .
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