【摘 要】
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用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
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用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.5、100mw/cm~2、25℃)。本文分析Si_3N_4作MINP电池减反射膜的优点,并对限制MINP太阳电池性能进一步提高的因素进行讨论。
The lightly doped N region of MINP silicon solar cells was fabricated by diffusion method. Si_3N_4 deposited by PECVD method was used as the antireflection film. The conversion efficiency was obtained on P-type silicon substrate with resistivity of 1.5 ± 0.5Ω · cm 16.5% MINP solar cells (effective area AM1.5, 100mw / cm ~ 2, 25 ℃). In this paper, the advantages of Si_3N_4 for MINP cell antireflection coating are analyzed, and the factors that limit the further improvement of the performance of MINP solar cell are discussed.
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