【摘 要】
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随着现代微电子技术向高集成度超微细化方向发展 ,为提高制作微细图形的光刻设备所能达到的光刻分辨力水平 ,在设备不更新的情况下 ,通常采用相移掩模或离轴照明方法 ,来提高
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
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随着现代微电子技术向高集成度超微细化方向发展 ,为提高制作微细图形的光刻设备所能达到的光刻分辨力水平 ,在设备不更新的情况下 ,通常采用相移掩模或离轴照明方法 ,来提高光刻分辨力和增大焦深。但相移掩模相移层的制造和修补比较困难 ,最佳相移器的位置精度要求高 ,制造费?
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