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【摘 要】
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随着现代微电子技术向高集成度超微细化方向发展 ,为提高制作微细图形的光刻设备所能达到的光刻分辨力水平 ,在设备不更新的情况下 ,通常采用相移掩模或离轴照明方法 ,来提高
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2000年02期
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