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在Ｐ型＜１００＞Ｓｉ衬底上，采用ＭＢＥ法生长一层厚约２．５μｍ的Ｐ－Ｇｅ０．０５Ｓｉ０．９５，形成Ｐ－ＧｅＳｉ／Ｐ－Ｓｉ异质结。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并用双肖特基二极管模型进行了分析，两者大体符合。
P—Ge0.05Si0.95／P—Si异质结的I—V特性和光响应
【摘 要】
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在Ｐ型＜１００＞Ｓｉ衬底上，采用ＭＢＥ法生长一层厚约２．５μｍ的Ｐ－Ｇｅ０．０５Ｓｉ０．９５，形成Ｐ－ＧｅＳｉ／Ｐ－Ｓｉ异质结。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并用双肖特基二极管模型进行了分析，两者大体符合。
【机 构】
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西安交通大学电子工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年1期
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