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利用元素Ｇａ其ＤＳｉＯ２〉〉ＤＳｉ的特点，实现了ＳｉＯ２／Ｓｉ中扩散，使基区得到了理想的浓度分布，但经热氧化后，基区表面的浓度值有明显下降趋势，从而表明Ｇａ在ＳｉＯ２－Ｓｉ界面，具有两种相反的扩散倾向。
Ga在SiO2—Si界面扩散特性的分析
【摘 要】
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利用元素Ｇａ其ＤＳｉＯ２〉〉ＤＳｉ的特点，实现了ＳｉＯ２／Ｓｉ中扩散，使基区得到了理想的浓度分布，但经热氧化后，基区表面的浓度值有明显下降趋势，从而表明Ｇａ在ＳｉＯ２－Ｓｉ界面，具有两种相反的扩散倾向。
【机 构】
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山东师范大学半导体研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1998年1期
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