KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：isaxu

【摘要】

：

将ＫｒＦ准分子激光无铬接触式称相光刻应用于深亚微米ＨＥＭＴ栅图形加工，自行设计，组装了一套实验系统，很地解决了这一器件制作的关键工艺问题，分别采用石英版移相和衬底移相方式，可重复可靠地

【作者】

：

钱鹤刘训春

【机构】

：

中国科学院微电子中心,100029

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1998年1期

【关键词】

：

移相光刻深亚微米 HEMT 半导体制造工艺 Phase-shifting Lithography Deep Sub-micron HEMT

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将ＫｒＦ准分子激光无铬接触式称相光刻应用于深亚微米ＨＥＭＴ栅图形加工，自行设计，组装了一套实验系统，很地解决了这一器件制作的关键工艺问题，分别采用石英版移相和衬底移相方式，可重复可靠地得到剖面陡直的（０．３０－０．３５）μｍ和（０．２－０．２５）μｍ胶阴线条，这一工艺技术完全与有现有器件工艺技术兼容，为ＨＥＭＴ深亚微米加工提供了一个新的可供选择的方法，文中还从计算机模拟角度对上述两种移相光刻方式作

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