【摘 要】
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本文提出了一种用离子注入减慢SiO_2腐蚀速率的新工艺.用不同剂量的各种离子对SiO_2进行注入实验,结果表明,注入离子的剂量越高,SiO_2的腐蚀速率越慢,该工艺的关键是采用了干
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文提出了一种用离子注入减慢SiO_2腐蚀速率的新工艺.用不同剂量的各种离子对SiO_2进行注入实验,结果表明,注入离子的剂量越高,SiO_2的腐蚀速率越慢,该工艺的关键是采用了干法腐蚀.这一结果与所报道的离子注入增强腐蚀的结果正好相反.该工艺具有工艺简单,操作方便,分辨率高等优点.
In this paper, we propose a new technique of ion implantation to slow down the rate of SiO 2 corrosion.With various doses of various ions on SiO 2 injection experiments, the results show that the higher the dose of ion implantation, the slower the corrosion rate of SiO 2, The key is the use of dry etching.This result is in contrast with the reported results of ion implantation to enhance corrosion.The process has the advantages of simple process, convenient operation and high resolution.
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