【摘 要】
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在
【机 构】
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四川大学物理系,四川大学物理系,四川大学物理系,四川大学物理系
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在p~+nn~+深结中测得的Ec—0.34eV能级并不存在于N型硅中,该DLTS谱峰来源于p~+nn~+结P型区内的空穴发射.
The energy levels introduced by platinum into N-type and P-type silicon have been studied by deep level transient spectroscopy (DLTS), and the p ~ + nn ~ + deep junction, p ~ + n and n ~ + p shallow junctions, Au / n-Si and Ti / p-Si Schottky etc. The results of the analysis of various samples were obtained as follows: Ec-0.34eV level measured in p ~ + nn ~ + deep junction Does not exist in the N-type silicon, the DLTS peak derived from p ~ + nn ~ + junction P-type region hole emission.
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