MEMS用PZT压电薄膜、PZT/NiTi多层结构和微驱动器的制备与表征

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该文用逆向混合(IMO)溶胶-凝胶技术在PT/Ti/SiO<,2>/Si(100)和NiTi/Ti/Si(100)两类基片上制备了不同厚度的压电薄膜,得到了3.3μm厚的PZT薄膜和PZT/NiTi多层机敏结构,并基于PZT/Pt/Ti/SiO<,2>/Si和PZT/PT/NiTi/Ti/Si结构,用半导体微细加工工艺制备了膜式(membrane)微驱动器.系统地研究了PZT薄膜的制备工艺、微结构和介电、铁电、压电性能及它们的相关性.探讨了PZT/NiTi智能结构的低温复合工艺以及复合结构各组元的组分、相结构的热力学稳定性、兼容性和耦合特性等.
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